型号:

EMZ1DXV6T1G

RoHS:无铅 / 符合
制造商:ON Semiconductor描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列
EMZ1DXV6T1G PDF
产品变化通告 Product Discontinuation 03/Oct/2007
标准包装 4,000
系列 -
晶体管类型 NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) 400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 120 @ 1mA,6V
功率 - 最大 500mW
频率 - 转换 180MHz,140MHz
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商设备封装 SOT-563
包装 带卷 (TR)
其它名称 EMZ1DXV6T1GOS
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